Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 178/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
2N5172
2N5172

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.946
2N5172
2N5172

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager58.146
2N5172_D26Z
2N5172_D26Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.272
2N5172_D27Z
2N5172_D27Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.834
2N5172_D74Z
2N5172_D74Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.652
2N5172_D75Z
2N5172_D75Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.706
2N5190
2N5190

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager7.902
2N5190
2N5190

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager5.400
2N5190G
2N5190G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager6.156
2N5191
2N5191

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager4.014
2N5191
2N5191

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 4A SOT-32

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-32-3
Auf Lager17.556
2N5191G
2N5191G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 4A TO225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager15.456
2N5192
2N5192

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A SOT-32

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-32-3
Auf Lager7.470
2N5192G
2N5192G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager21.300
2N5192R
2N5192R

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager4.572
2N5192 SL H
2N5192 SL H

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager5.922
2N5193
2N5193

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 40V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager5.130
2N5194
2N5194

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager2.100
2N5194G
2N5194G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager4.770
2N5195
2N5195

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A SOT-32

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-32-3
Auf Lager3.240
2N5195G
2N5195G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager8.364
2N5195 SL H
2N5195 SL H

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO126

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 40W
  • Frequenz - Übergang: 2MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126
Auf Lager3.726
2N5209
2N5209

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.05A TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager8.724
2N5210
2N5210

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.05A TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager19.722
2N5210BU
2N5210BU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.200
2N5210_D81Z
2N5210_D81Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager4.086
2N5210_J05Z
2N5210_J05Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.380
2N5210NMBU
2N5210NMBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.688
2N5210_S00Z
2N5210_S00Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.964
2N5210TA
2N5210TA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 30MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.686