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Seite 175/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N4923 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A TO-126 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager13.776
2N4923G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager16.098
2N4930 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.724
2N4931 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.456
2N4953 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.230
2N4953_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.372
2N497 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.578
2N498 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.770
2N5000 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.726
2N5001 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.042
2N5002 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.138
2N5003 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.524
2N5004 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.510
2N5005 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.210
2N5010 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.976
2N5011 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.632
2N5012 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager5.076
2N5012S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/727 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 5mA, 25mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager3.384
2N5013 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.160
2N5013S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/727 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 5mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager3.726
2N5014 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager8.874
2N5014S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/727 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 5mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager2.214
2N5015 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager4.842
2N5015S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/727 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 5mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager3.490
2N5038 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 5V Leistung - max: 140W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.588
2N5038G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 90V 20A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V Leistung - max: 140W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager6.570
2N5039 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V Leistung - max: 140W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager4.140
2N5039 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.172
2N5050 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.460
2N5051 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.662

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