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SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.222
SI4890DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.562
SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.626
SI4892DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.894
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager24.366
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.528
SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager40.488
SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.520
SI5401DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.372
SI5401DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager4.356
SI5402BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.732
SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager7.614
SI5402DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.460
SI5402DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.820
SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager26.556
SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager2.718
SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager4.788
SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.784
SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 1.2mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.984
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 1.2mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager2.196
SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Single	Auf Lager2.772
SI5411EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Single	Auf Lager6.282
SI5414DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager7.290
SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Single	Auf Lager3.690
SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Single	Auf Lager5.094
SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Single Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Single	Auf Lager8.676
SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager102.336
SI5424DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager5.166
SI5424DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager50.334
SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Dual Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Dual	Auf Lager7.704

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