Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1733/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.032
SI4825DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager98.394
SI4825DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.580
SI4825DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.984
SI4829DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.030
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.112
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.770
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.140
SI4831DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.542
SI4833ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.892
SI4833ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.718
SI4833BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager18.660
SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 5V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.442
SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.982
SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.634
SI4836DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.880
SI4836DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.586
SI4838BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5760pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.300
SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.694
SI4838DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.424
SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager318.162
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager84.450
SI4840DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.826
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.986
SI4842BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.932
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.644
SI4845DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 312pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.75W (Ta), 2.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.886
SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager25.062
SI4848DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.978
SI4848DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.028

«
‹
1
...
1730
1731
1732
1733 (current)
1734
1735
1736
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message