Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1662/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PMZ290UNYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager2.808
PMZ320UPEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 122pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager238.086
PMZ350UPEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1A Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 127pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager2.826
PMZ350XN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.87A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager4.950
PMZ370UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.9A Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager84.156
PMZ390UN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager662.682
PMZ390UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager180.654
PMZ420UNYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.478
PMZ550UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 590mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager85.566
PMZ600UNELYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V FET-Funktion: Standard Verlustleistung (max.): 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager8.028
PMZ600UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.6A Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager92.778
PMZ760SN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.084
PMZ950UPELYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager8.388
PMZ950UPEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.5A Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager5.868
PMZB1200UPEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 410mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager94.494
PMZB150UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager212.064
PMZB200UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager235.212
PMZB290UN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager75.768
PMZB290UNE2YL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager985.338
PMZB290UNE,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager92.148
PMZB300XN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.94nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager6.966
PMZB320UPEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 122pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager79.758
PMZB350UPE,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 127pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager8.028
PMZB370UNE,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16nC @ 15V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager7.182
PMZB380XN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 930mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager5.526
PMZB390UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager3.204
PMZB420UN,315 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.98nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager2.106
PMZB550UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 590mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager7.218
PMZB600UNELYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager8.154
PMZB600UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3QFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager7.866

«
‹
1
...
1659
1660
1661
1662 (current)
1663
1664
1665
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message