Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Nur als Referenz

Teilenummer PMZB420UN,315
PNEDA Teilenummer PMZB420UN-315
Beschreibung MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMZB420UN Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMZB420UN,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMZB420UN, PMZB420UN Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.030,98 KB)
PDFPMZB420UN Datenblatt Cover
PMZB420UN Datenblatt Seite 2 PMZB420UN Datenblatt Seite 3 PMZB420UN Datenblatt Seite 4 PMZB420UN Datenblatt Seite 5 PMZB420UN Datenblatt Seite 6 PMZB420UN Datenblatt Seite 7 PMZB420UN Datenblatt Seite 8 PMZB420UN Datenblatt Seite 9 PMZB420UN Datenblatt Seite 10 PMZB420UN Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PMZB420UN,315 Datasheet
  • where to find PMZB420UN,315
  • Nexperia

  • Nexperia PMZB420UN,315
  • PMZB420UN,315 PDF Datasheet
  • PMZB420UN,315 Stock

  • PMZB420UN,315 Pinout
  • Datasheet PMZB420UN,315
  • PMZB420UN,315 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PMZB420UN,315 Price
  • PMZB420UN,315 Distributor

PMZB420UN Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.98nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds65pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN1006B-3
Paket / Fall3-XFDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFH5210TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

PMV32UP,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

510mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

QS5U33TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT5

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

GP1M003A080FH

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

696pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FQA19N60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

NC7SZ125P5X

NC7SZ125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-5

IP4220CZ6,125

IP4220CZ6,125

Nexperia

TVS DIODE 5.5V 6TSOP

AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8SOIC

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP

SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

ESDA6V1L

ESDA6V1L

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V SOT23-3

MIC29302WU

MIC29302WU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

ADCMP356YKSZ-REEL7

ADCMP356YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP/REF PP ACTIVE HI SC70-4