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NTTFS5C670NLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager36.870
NTTFS5C670NLTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 16A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.344
NTTFS5C673NLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager151.956
NTTFS5C673NLTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 13A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.336
NTTFS5CS70NLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V NCH LL IN U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.622
NTTFS5CS70NLTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V NCH LL IN U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.722
NTTFS5CS73NLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V NCH LL IN U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.380
NTTFS5CS73NLTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V NCH LL IN U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.156
NTTFS6H850NLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 80V 108A Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.082
NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRENCH 8 80V NFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.580
NTTFSC4821NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 30V 57A NFETU8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.120
NTTFSC4823NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 30V 50A NFETU8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.088
NTTFSC4937NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.084
NTTS2P02R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.294
NTTS2P02R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager2.862
NTTS2P03R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager5.688
NTTS2P03R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager4.644
NTY100N10 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 123A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10110pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 313W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.588
NTY100N10G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 123A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10110pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 313W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.526
NTZS3151PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager377.766
NTZS3151PT1H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563-6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager2.952
NTZS3151PT5G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager3.490
NVA4001NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 238mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager27.462
NVA4153NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 915mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager3.654
NVATS4A101PZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.262
NVATS4A102PZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 44A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1490pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.932
NVATS4A103PZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.832
NVATS4A104PZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 82A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.446
NVATS5A106PLZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.568
NVATS5A107PLZT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ATPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.734

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