Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1620/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NTS4172NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 381pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 294mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323) Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.534
NTS4173PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323) Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager1.306.500
NTS4409NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 280mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323) Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager149.646
NTTD4401FR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 780mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager4.752
NTTD4401FR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 780mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager2.196
NTTFS002N04CLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 40V 142A Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.452
NTTFS002N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 40V 136A Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.182
NTTFS003N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 103A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 103A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.752
NTTFS004N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 77A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.938
NTTFS005N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V SG NCH U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.986
NTTFS008N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V SG NCH U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.622
NTTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PTNG 100V Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.7A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta),52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.388
NTTFS015N04CTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 27A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.816
NTTFS015P03P8ZTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PFET U8FL 30V 15MO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2706pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.290
NTTFS015P03P8ZTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PFET U8FL 30V 15MO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2706pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.758
NTTFS3A08PZTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 14A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager12.642
NTTFS3A08PZTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 14A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager51.936
NTTFS4800NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 964pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.896
NTTFS4800NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 964pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.940
NTTFS4821NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.768
NTTFS4821NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.880
NTTFS4823NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.976
NTTFS4823NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.562
NTTFS4824NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2363pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager16.050
NTTFS4824NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2363pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.430
NTTFS4840NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.212
NTTFS4840NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.160
NTTFS4928NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager21.840
NTTFS4928NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.786
NTTFS4929NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Ta), 34A(Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.560

«
‹
1
...
1617
1618
1619
1620 (current)
1621
1622
1623
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message