Transistoren

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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
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Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

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NTD4913N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.36W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.330
NTD4913NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.36W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.986
NTD4959N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.014
NTD4959N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.194
NTD4959NH-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.492
NTD4959NH-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.388
NTD4959NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.340
NTD4959NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.382
NTD4960N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.262
NTD4960N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.370
NTD4960NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.556
NTD4963N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.400
NTD4963NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.1A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.212
NTD4965N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1710pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.39W (Ta), 38.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.448
NTD4965NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 68A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1710pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.39W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager21.714
NTD4969N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 837pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.238
NTD4969NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 837pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager36.564
NTD4970N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 38A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 774pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager19.644
NTD4970NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 38A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 774pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.362
NTD4979N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 837pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.058
NTD4979NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 837pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.966
NTD50N03R ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.394
NTD50N03R-001 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.544
NTD50N03R-035 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.802
NTD50N03R-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.820
NTD50N03R-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.140
NTD50N03RG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.894
NTD50N03RT4 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.308
NTD50N03RT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.484
NTD5406NG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 70A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.2A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 32V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.804

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