Transistoren

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NTD4860NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1308pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.934
NTD4860NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1308pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.732
NTD4860NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1308pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.406
NTD4863N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.184
NTD4863N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.534
NTD4863NA-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.930
NTD4863NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.358
NTD4863NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.742
NTD4863NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.780
NTD4865N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.646
NTD4865N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.196
NTD4865NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.100
NTD4904N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.084
NTD4904NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3052pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.358
NTD4905N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.106
NTD4905N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.364
NTD4905NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.038
NTD4906N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.004
NTD4906N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.534
NTD4906NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.626
NTD4906NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.274
NTD4906NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.194
NTD4909N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.492
NTD4909N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.562
NTD4909NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.434
NTD4909NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.994
NTD4909NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.718
NTD4910N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1203pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.762
NTD4910NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 37A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1203pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.640
NTD4913N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.36W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.466

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