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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NDT452P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.606
NDT453N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.930
NDT454P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager30.882
NDT455N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.686
NDT456P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager86.502
NDTL01N60ZT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.994
NDTL01N60ZT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.032
NDTL03N150CG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 140W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(L) Paket / Fall: TO-3PL	Auf Lager6.714
NDUL03N150CG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(L) Paket / Fall: TO-3PL	Auf Lager9.276
NDUL09N150CG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2025pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PF-3 Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack	Auf Lager5.508
NIF9N05CLT1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 52V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.69W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.852
NIF9N05CLT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 59V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.69W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.030
NIF9N05CLT3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 52V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.69W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.874
NIF9N05CLT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 59V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.69W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.878
NILMS4501NR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V FET-Funktion: Current Sensing Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PLLP Paket / Fall: 4-PowerDFN	Auf Lager2.100
NILMS4501NR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V FET-Funktion: Current Sensing Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PLLP Paket / Fall: 4-PowerDFN	Auf Lager4.446
NMSD200B01-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-363 Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager26.892
NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 176W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager6.876
NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 176W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (D²Pak) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.578
NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.912
NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.804
NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.064
NP100P06PLG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.456
NP109N04PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 220W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.128
NP109N04PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.444
NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 250W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (D²Pak) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.860
NP109N055PUJ-E1B-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 220W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.460
NP109N055PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.988
NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 250W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.542
NP110N03PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.412

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