NIF9N05CLT1
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| Teilenummer | NIF9N05CLT1 |
| PNEDA Teilenummer | NIF9N05CLT1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NIF9N05CLT1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NIF9N05CLT1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NIF9N05CLT1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 52V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 35V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.69W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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