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IPD50P04P413ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 58W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager101.358
IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 58W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager97.848
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 178pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.518
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 178pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.128
IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 119W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.958
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 119W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.154
IPD50R280CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 92W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.236
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 124pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.560
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.670
IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 98W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.160
IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 98W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.070
IPD50R380CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 73W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.928
IPD50R399CP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.598
IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.784
IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.712
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 84pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 26W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.454
IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 84pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 18W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.380
IPD50R500CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.896
IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager57.186
IPD50R500CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.940
IPD50R520CP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.544
IPD50R520CPATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.938
IPD50R520CPBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.722
IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.298
IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.750
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 47W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.996
IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 5A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.790
IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CONSUMER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.618
IPD50R800CEBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 500V 5A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.528
IPD50R950CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.492

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