IPD50R500CEATMA1
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| Teilenummer | IPD50R500CEATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPD50R500CEATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD50R500CEATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPD50R500CEATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD50R500CEATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 57W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller IXYS Serie Trench™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 90W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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