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DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager7.398
DMS2220LFW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN3020 (3x2) Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad	Auf Lager7.596
DMS3012SFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 890mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.222
DMS3012SFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 890mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.436
DMS3014SFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH POWERDI3333-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Angebot anfordern
DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.568
DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.838
DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.938
DMS3014SSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2296pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 1.55W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.466
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 1.55W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.614
DMS3016SFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1886pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 980mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.400
DMS3016SSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1849pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 1.54W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.680
DMS3016SSSA-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1849pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 1.54W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.932
DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.308
DMT10H009LH3 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.038
DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.986
DMT10H009LSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2309pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.426
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.122
DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.122
DMT10H010LCT Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.658
DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 68.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2592pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.844
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9.4A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta), 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager51.300
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V SO-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.406
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.7A (Ta), 113A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.468nF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.392
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.010
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: V-DFN3333-8 Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad	Auf Lager7.794
DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: V-DFN3333-8 Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad	Auf Lager6.732
DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.686
DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.074
DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.490

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