Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMT10H010LPS-13
PNEDA Teilenummer DMT10H010LPS-13
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 9.4A
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 51.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT10H010LPS-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT10H010LPS-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMT10H010LPS-13, DMT10H010LPS-13 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 459,5 KB)
PDFDMT10H010LPS-13 Datenblatt Cover
DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 2 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 3 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 4 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 5 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 6 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 7 DMT10H010LPS-13 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT10H010LPS-13 Datasheet
  • where to find DMT10H010LPS-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT10H010LPS-13
  • DMT10H010LPS-13 PDF Datasheet
  • DMT10H010LPS-13 Stock

  • DMT10H010LPS-13 Pinout
  • Datasheet DMT10H010LPS-13
  • DMT10H010LPS-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT10H010LPS-13 Price
  • DMT10H010LPS-13 Distributor

DMT10H010LPS-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.4A (Ta), 98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.2W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI3420A-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRF7240TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R950CFDBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

36.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

PIC16F77-I/P

PIC16F77-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

L7805CD2T-TR

L7805CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

MT29F128G08CFABAWP:B

MT29F128G08CFABAWP:B

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

BZV55C4V7

BZV55C4V7

Microsemi

DIODE ZENER 4.7V DO213AA

NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

NANOSMDC035F-2

NANOSMDC035F-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 16V 350MA 1206

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

TLMY1000-GS08

TLMY1000-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED YELLOW 0603 SMD

AT28HC256-12SI

AT28HC256-12SI

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC