Transistoren

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CSD19533Q5AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A VSONP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager21.300
CSD19534KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 118W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.840
CSD19534Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager82.956
CSD19534Q5AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager97.080
CSD19535KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO-220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager49.992
CSD19535KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager16.488
CSD19535KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager30.600
CSD19536KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO-220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.459
CSD19536KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager1.764
CSD19536KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager19.686
CSD19537Q3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.724
CSD19537Q3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager36.498
CSD19538Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 14.4A SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager110.568
CSD19538Q2T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager23.892
CSD19538Q3A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 15A VSONP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (3x3.15) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager26.784
CSD19538Q3AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 15A VSONP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (3x3.15) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager270.756
CSD22202W15 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA	Auf Lager237.774
CSD22204W Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 5A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA	Auf Lager73.625
CSD22204WT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 9DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA	Auf Lager53.886
CSD22205L Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PICOSTAR Paket / Fall: 4-XFLGA	Auf Lager249.858
CSD22205LT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PICOSTAR Paket / Fall: 4-XFLGA	Auf Lager14.580
CSD22206W Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 8V P-CHANNEL FEMTOFET Hersteller: Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA (1.5x1.5) Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA	Auf Lager7.632
CSD22206WT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA (1.5x1.5) Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA	Auf Lager47.196
CSD23201W10 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager2.394
CSD23202W10 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager1.367.952
CSD23202W10T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 512pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager173.814
CSD23203W Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA	Auf Lager2.502
CSD23203WT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA	Auf Lager23.658
CSD23280F3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager640.758
CSD23280F3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (Max): -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager212.808

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