Transistoren

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Datensätze 64.903

Seite 1106/2164

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CSD18540Q5B Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager535.422
CSD18540Q5BT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager115.392
CSD18541F5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 777pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager312.594
CSD18541F5T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 777pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager13.986
CSD18542KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5070pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.964
CSD18542KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5070pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager97.782
CSD18542KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta), 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5070pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager12.996
CSD18543Q3A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 60V N CH MOSFET Hersteller: Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.848
CSD18543Q3AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager297.648
CSD18563Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager55.170
CSD18563Q5AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager112.854
CSD19501KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 217W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager12.738
CSD19502Q5B Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4870pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager81.570
CSD19502Q5BT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4870pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager22.842
CSD19503KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager21.444
CSD19505KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7820pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager1.897
CSD19505KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7920pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager6.534
CSD19505KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7920pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager2.358
CSD19506KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V TO-220-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager11.487
CSD19506KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager7.380
CSD19506KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC MOSFET N-CH 80V TO-220 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager6.192
CSD19531KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3870pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.656
CSD19531Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3870pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager30.148
CSD19531Q5AT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3870pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager256.044
CSD19532KTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5060pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager8.532
CSD19532KTTT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO-263-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5060pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager14.580
CSD19532Q5B Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager19.922
CSD19532Q5BT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager13.008
CSD19533KCS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager61.962
CSD19533Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager91.338

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