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BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSO8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager38.280
BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager47.886
BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6020pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager51.804
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-17 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager211.200
BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8125pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager44.664
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-7 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager297.756
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.644
BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.202
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.112
BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.290
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.752
BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager40.146
BSC017N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager38.490
BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.834
BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.942
BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.256
BSC019N02KSGAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.716
BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.372
BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.120
BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.472
BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5.25nF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8 FL Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.070
BSC020N025S G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8290pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.006
BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager612.744
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LV POWER MOS Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.776
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager45.042
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRENCH 40<-<100V Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™, StrongIRFET™ FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSON-8-3 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.716
BSC022N03S Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7490pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.362
BSC022N03SG Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8290pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.236
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRENCH <= 40V Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.042
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.074

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