Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSC014N06NSATMA1
PNEDA Teilenummer BSC014N06NSATMA1
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 211.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 18 - Mär 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSC014N06NSATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSC014N06NSATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSC014N06NSATMA1 Datasheet
  • where to find BSC014N06NSATMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSC014N06NSATMA1
  • BSC014N06NSATMA1 PDF Datasheet
  • BSC014N06NSATMA1 Stock

  • BSC014N06NSATMA1 Pinout
  • Datasheet BSC014N06NSATMA1
  • BSC014N06NSATMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSC014N06NSATMA1 Price
  • BSC014N06NSATMA1 Distributor

BSC014N06NSATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6500pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-17
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQPF4N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

AUIRF7736M2TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta), 108A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4267pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ M4

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric M4

NTMFS4927NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.9A (Ta), 38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

913pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

920mW (Ta), 20.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

DMNH4011SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1405pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUM40012EL-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.67mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10930pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

AOZ1281DI

AOZ1281DI

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8DFN

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

LTM4616EV#PBF

LTM4616EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

CP2103-GMR

CP2103-GMR

Silicon Labs

IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP

GD25Q80CSIG

GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH

ISD2360SYI

ISD2360SYI

Nuvoton Technology

IC VOICE REC/PLAY 64SEC 16SOP

BAT54CXV3T1G

BAT54CXV3T1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC89-3

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

TPSC107K010R0200

TPSC107K010R0200

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

XCF08PFSG48C

XCF08PFSG48C

Xilinx

IC PROM SRL 1.8V 8M GATE 48CSBGA

SI3420A-TP

SI3420A-TP

Micro Commercial Co

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

RT9193-33GB

RT9193-33GB

Richtek USA Inc.

IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5