Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1041/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
AUIRLR2905TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.532
AUIRLR2905Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.442
AUIRLR2908 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 120W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.102
AUIRLR3105 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.434
AUIRLR3110Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 63A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.876
AUIRLR3114Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.912
AUIRLR3410 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.194
AUIRLR3410TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.824
AUIRLR3410TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.660
AUIRLR3636 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 99A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3779pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 143W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.964
AUIRLR3705Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.410
AUIRLR3915 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 61A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 120W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.194
AUIRLS3034 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10315pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.528
AUIRLS3034-7P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10990pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager7.740
AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10990pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager6.714
AUIRLS3036 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11210pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.446
AUIRLS3036-7P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11270pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager7.848
AUIRLS3036-7TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11270pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager3.618
AUIRLS3036TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11210pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.196
AUIRLS3114Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3617pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 143W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.066
AUIRLS4030 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11360pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.030
AUIRLS4030-7P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11490pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager4.266
AUIRLS4030-7TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11490pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager3.978
AUIRLS4030TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11360pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 370W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.580
AUIRLS8409-7P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 40V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16488pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager21.984
AUIRLS8409-7TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 40V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16488pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.840
AUIRLSL3036 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 270A TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11210pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.758
AUIRLU024Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 55V 16A SOT 223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.718
AUIRLU2905 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.370
AUIRLU3110Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 63A IPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.488

«
‹
1
...
1038
1039
1040
1041 (current)
1042
1043
1044
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message