Transistoren

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AUIRL1404Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.496
AUIRL1404ZL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.262
AUIRL1404ZS Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.750
AUIRL1404ZSTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.084
AUIRL2203N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.418
AUIRL3705Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.856
AUIRL3705ZS Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.802
AUIRL3705ZSTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.122
AUIRL7732S2TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SC Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SC	Auf Lager2.466
AUIRL7736M2TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 179A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5055pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ M4 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric M4	Auf Lager7.146
AUIRL7766M2TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5305pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ M4 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric M4	Auf Lager2.808
AUIRLL014N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager25.705
AUIRLL014NTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.498
AUIRLL024N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.012
AUIRLL024NTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.994
AUIRLL024Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 55V 5A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.716
AUIRLL024ZTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 55V 5A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.442
AUIRLL2705 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.340
AUIRLL2705TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.194
AUIRLR014N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.902
AUIRLR014NTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.094
AUIRLR024N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.118
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.320
AUIRLR024Z Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 55V 16A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.834
AUIRLR024ZTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 55V 16A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.920
AUIRLR120N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager88.549
AUIRLR120NTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.722
AUIRLR2703 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.322
AUIRLR2703TRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.886
AUIRLR2905 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.490

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