Speicher-ICs

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70T651S10BFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager6.768
70T651S10BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager4.770
70T651S10BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager8.046
70T651S10BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.928
70T651S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.424
70T651S10DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager4.554
70T651S12BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.118
70T651S12BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.560
70T651S12BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.662
70T651S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.752
70T651S12BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.096
70T651S12BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.772
70T651S12BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.100
70T651S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.716
70T651S12BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.436
70T651S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.598
70T651S12DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager2.664
70T651S12DRI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager5.220
70T651S15BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.268
70T651S15BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.442
70T651S15BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.916
70T651S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.816
70T651S15DR IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-BFQFP Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)	Auf Lager7.146
70T653MS10BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.063
70T653MS10BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.084
70T653MS10BCG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.006
70T653MS12BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.374
70T653MS12BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.320
70T653MS12BCGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager68
70T653MS12BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.072

70T651S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager6.768

70T651S10BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager4.770

70T651S10BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager8.046

70T651S10BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.928

70T651S10BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.424

70T651S10DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager4.554

70T651S12BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.118

70T651S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.560

70T651S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.662

70T651S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.752

70T651S12BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.096

70T651S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.772

70T651S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.100

70T651S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.716

70T651S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.436

70T651S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.598

70T651S12DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager2.664

70T651S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager5.220

70T651S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.268

70T651S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.442

70T651S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.916

70T651S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.816

70T651S15DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-BFQFP
Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)

Auf Lager7.146

70T653MS10BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.063

70T653MS10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.084

70T653MS10BCG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.006

70T653MS12BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.374

70T653MS12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.320

70T653MS12BCGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager68

70T653MS12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.072

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