Speicher-ICs

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70T631S12BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.202
70T631S15BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.914
70T631S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.930
70T633S10BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.770
70T633S10BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.032
70T633S10BCGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.974
70T633S10BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager5.940
70T633S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.294
70T633S10BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.384
70T633S10BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.958
70T633S10BFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.830
70T633S10BFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.352
70T633S10BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.878
70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.820
70T633S12BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.570
70T633S12BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.254
70T633S12BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.344
70T633S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.352
70T633S12BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.496
70T633S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.552
70T633S12BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.562
70T633S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.606
70T633S15BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager5.364
70T633S15BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.016
70T651S10BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.898
70T651S10BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.132
70T651S10BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.474
70T651S10BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.138
70T651S10BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager4.104
70T651S10BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.968

70T631S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.202

70T631S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.914

70T631S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.930

70T633S10BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.770

70T633S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.032

70T633S10BCGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.974

70T633S10BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager5.940

70T633S10BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.294

70T633S10BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.384

70T633S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.958

70T633S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.830

70T633S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.352

70T633S10BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.878

70T633S10BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.820

70T633S12BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.570

70T633S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.254

70T633S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.344

70T633S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.352

70T633S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.496

70T633S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.552

70T633S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.562

70T633S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.606

70T633S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager5.364

70T633S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.016

70T651S10BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.898

70T651S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.132

70T651S10BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.474

70T651S10BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.138

70T651S10BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager4.104

70T651S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.968

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