Speicher-ICs

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MT41K256M8DA-125:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager9.249
MT41K256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager2.376
MT41K256M8DA-125:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager1.737
MT41K256M8DA-15E:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.932
MT41K256M8HX-15E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager7.668
MT41K256M8HX-187E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager4.428
MT41K256M8V89CWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL DIE Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.226
MT41K2G4RKB-107:N Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.248
MT41K2G4RKB-107:N TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.932
MT41K2G4RKB-107:P Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR3 8GB 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: TwinDie™ Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.680
MT41K2G4RKB-107:P TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR3 8GB 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: TwinDie™ Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager7.002
MT41K2G4SN-107:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x13.2)	Auf Lager8.010
MT41K2G4SN-125:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x13.2)	Auf Lager6.156
MT41K2G4SN-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x13.2)	Auf Lager5.040
MT41K2G4TRF-107:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x11.5)	Auf Lager4.086
MT41K2G4TRF-107:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x11.5)	Auf Lager6.570
MT41K2G4TRF-125:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x11.5)	Auf Lager3.510
MT41K2G4TRF-125:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (2G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x11.5)	Auf Lager3.870
MT41K2G8KJR-125:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x13)	Auf Lager7.182
MT41K2G8KJR-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9.5x13)	Auf Lager5.796
MT41K512M16HA-107:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager12.647
MT41K512M16HA-107:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager4.824
MT41K512M16HA-107G:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager3.744
MT41K512M16HA-107 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager2.937
MT41K512M16HA-107 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager4.842
MT41K512M16HA-125:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager12.491
MT41K512M16HA-125 AIT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager6.714
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager8.280
MT41K512M16HA-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager2.502
MT41K512M16HA-125 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (14x9)	Auf Lager14.311

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