Speicher-ICs

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MT41K256M16TW-107:P Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager17.205
MT41K256M16TW-107:P TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager8.046
MT41K256M16TW-107 V:P Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.320
MT41K256M16TW-107 V:P TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.996
MT41K256M16TW-107 XIT:P Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.402
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.544
MT41K256M16TW-125:P Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager6.480
MT41K256M16V00HWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH NAND 32GX8 TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.394
MT41K256M16V00HWC1-N001 Micron Technology Inc.	Speicher DDR3 4G DIE 256MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.184
MT41K256M16V80AWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL DIE Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.706
MT41K256M16V90BWC1 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL DIE Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.428
MT41K256M4DA-107:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.194
MT41K256M4DA-107:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager5.760
MT41K256M4JP-125:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x11.5)	Auf Lager3.508
MT41K256M4JP-15E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x11.5)	Auf Lager3.474
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x11.5)	Auf Lager8.100
MT41K256M8DA-107 AAT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager2.322
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager2.790
MT41K256M8DA-107 IT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager6.732
MT41K256M8DA-107 IT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.302
MT41K256M8DA-107:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager802
MT41K256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager8.406
MT41K256M8DA-125 AAT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager2.718
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR3 2GB 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager7.524
MT41K256M8DA-125 AIT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager8.820
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager7.830
MT41K256M8DA-125 AUT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager5.922
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager4.824
MT41K256M8DA-125 IT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager863
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x10.5)	Auf Lager8.676

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