Speicher-ICs

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M95640-WDW6TG STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.586
M95640-WDW6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager713.197
M95640-WMN6P STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager17.708
M95640-WMN6T STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager9.968
M95640-WMN6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager107.103
M95M01-DFCS6TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8WLCSP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 8-WLCSP	Auf Lager17.485
M95M01-DFDW6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager29.310
M95M01-DFMN6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.222
M95M01-DWDW3TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 4ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager27.828
M95M01-DWDW4TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 4ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 145°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager118.842
M95M01-DWMN3TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 4ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.185
M95M01-RCS6TP/A STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8WLCSP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFBGA, CSPBGA Lieferantengerätepaket: 8-WLCSP	Auf Lager7.128
M95M01-RDW6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager66.078
M95M01-RMN6P STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager22.740
M95M01-RMN6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager134.072
M95M01-RMW6G STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.686
M95M01-RMW6TG STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 16MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.066
M95M02-DRCS6TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 2M SPI 5MHZ 8WLCSP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 8-WLCSP (3.56x2.01)	Auf Lager2.230
M95M02-DRMN6TP STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 2M SPI 5MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.251
M95M02-DWMN3TP/K STMicroelectronics	Speicher IC EEPROM 2M SPI 10MHZ 8SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager54.978
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: RAM Technologie: ReRAM (Resistive RAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 17ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager19.296
MB85R1001ANC-GE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager11.832
MB85R1002ANC-GE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager3.726
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I	Auf Lager5.796
MB85R256FPF-G-BNDE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager3.762
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager4.338
MB85R256FPNF-G-JNERE2 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager3.402
MB85R256GPF-G-BNDE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.472
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.696
MB85R4001ANC-GE1 Fujitsu Electronics	Speicher IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FRAM Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP	Auf Lager8.496

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