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M95M01-DWDW4TP/K

M95M01-DWDW4TP/K

Nur als Referenz

Teilenummer M95M01-DWDW4TP/K
PNEDA Teilenummer M95M01-DWDW4TP-K
Beschreibung IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP
Hersteller STMicroelectronics
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M95M01-DWDW4TP/K Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM95M01-DWDW4TP/K
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M95M01-DWDW4TP/K, M95M01-DWDW4TP/K Datenblatt (Total Pages: 40, Größe: 738,33 KB)
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M95M01-DWDW4TP/K Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz16MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 145°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

208MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14.4ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

500ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

W632GU6AB-12

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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