Renesas Electronics America Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - RF
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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF
HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Datensätze 32
Seite 2/2
Bild |
Teilenummer |
Hersteller |
Beschreibung |
Auf Lager |
Menge |
Serie | Transistortyp | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | Frequenz - Übergang | Rauschzahl (dB Typ @ f) | Gewinn | Leistung - max | Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | Strom - Kollektor (Ic) (max.) | Betriebstemperatur | Montagetyp | Paket / Fall | Lieferantengerätepaket |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics America Inc. |
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC |
2.412 |
|
- | 5 PNP | 15V | 5.5GHz | 3.5dB @ 1GHz | - | 150mW | 20 @ 10mA, 2V | 65mA | 150°C (TJ) | Surface Mount | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-SOIC |
|
|
Renesas Electronics America Inc. |
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN |
5.598 |
|
- | 5 PNP | 15V | 5.5GHz | 3.5dB @ 1GHz | - | 150mW | 20 @ 10mA, 2V | 65mA | 175°C (TJ) | Surface Mount | 16-VFQFN Exposed Pad | 16-QFN (3x3) |