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STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5

Nur als Referenz

Teilenummer STL40DN3LLH5
PNEDA Teilenummer STL40DN3LLH5
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL40DN3LLH5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL40DN3LLH5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STL40DN3LLH5, STL40DN3LLH5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 505,6 KB)
PDFSTL40DN3LLH5 Datenblatt Cover
STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 2 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 3 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 4 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 5 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 6 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 7 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 8 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 9 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 10 STL40DN3LLH5 Datenblatt Seite 11

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STL40DN3LLH5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
Leistung - max60W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP4

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

745pF @ 10V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

SI5935DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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APTC60AM24SCTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Phase Leg)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FDS3890

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 40V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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