APTM100H45SCTG
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| Teilenummer | APTM100H45SCTG |
| PNEDA Teilenummer | APTM100H45SCTG |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM100H45SCTG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM100H45SCTG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM100H45SCTG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Leistung - max | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 787pF @ 6V Leistung - max 1.36W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
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