STGWT80H65DFB

Nur als Referenz
Teilenummer | STGWT80H65DFB |
PNEDA Teilenummer | STGWT80H65DFB |
Beschreibung | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.878 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
STGWT80H65DFB Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | STGWT80H65DFB |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STGWT80H65DFB Datasheet
- where to find STGWT80H65DFB
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STGWT80H65DFB
- STGWT80H65DFB PDF Datasheet
- STGWT80H65DFB Stock
- STGWT80H65DFB Pinout
- Datasheet STGWT80H65DFB
- STGWT80H65DFB Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STGWT80H65DFB Price
- STGWT80H65DFB Distributor
STGWT80H65DFB Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Leistung - max | 469W |
Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 414nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 84ns/280ns |
Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A Leistung - max 100W Schaltenergie 640µJ (on), 920µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/200ns Testbedingung 960V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 46A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 10A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/10.8µs Testbedingung 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 1150W Schaltenergie 7.7mJ (on), 4.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 360nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 63ns/267ns Testbedingung 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 118A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 543W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 16A Leistung - max 180W Schaltenergie 920µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/150ns Testbedingung 600V, 16A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |