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STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

Nur als Referenz

Teilenummer STGWT80H65DFB
PNEDA Teilenummer STGWT80H65DFB
Beschreibung IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Hersteller STMicroelectronics
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STGWT80H65DFB Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWT80H65DFB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWT80H65DFB, STGWT80H65DFB Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 972,51 KB)
PDFSTGWT80H65DFB Datenblatt Cover
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STGWT80H65DFB Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Leistung - max469W
Schaltenergie2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.84ns/280ns
Testbedingung400V, 80A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGI4086PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/112ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

360µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

IRG4PH30K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

640µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/200ns

Testbedingung

960V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

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Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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