ISL9V5036S3ST_SB82026C
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL9V5036S3ST_SB82026C |
| PNEDA Teilenummer | ISL9V5036S3ST_SB82026C |
| Beschreibung | INTEGRATED CIRCUIT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.924 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL9V5036S3ST_SB82026C Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9V5036S3ST_SB82026C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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ISL9V5036S3ST_SB82026C Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 390V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 46A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 10A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/10.8µs |
| Testbedingung | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/111ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 231ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 165A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A Leistung - max 390W Schaltenergie 800µJ (on), 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/170ns Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 66A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 440µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 52W Schaltenergie 17µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/55ns Testbedingung 300V, 8A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
