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STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4

Nur als Referenz

Teilenummer STGW60H65DFB-4
PNEDA Teilenummer STGW60H65DFB-4
Beschreibung IGBT
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGW60H65DFB-4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW60H65DFB-4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW60H65DFB-4, STGW60H65DFB-4 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 551,64 KB)
PDFSTGW60H65DFB-4 Datenblatt Cover
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STGW60H65DFB-4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieHB
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
Leistung - max375W
Schaltenergie346µJ (on), 1.161mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge306nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.65ns/261ns
Testbedingung400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-4
LieferantengerätepaketTO-247-4L

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

APT25GP120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

500µJ (on), 438µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/70ns

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGPF50N30TTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

46.8W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

97nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

STGF15M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

31W

Schaltenergie

90µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/93ns

Testbedingung

400V, 15A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

142ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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