STGF15M65DF2
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| Teilenummer | STGF15M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGF15M65DF2 |
| Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGF15M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF15M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGF15M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 31W |
| Schaltenergie | 90µJ (on), 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 45nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/93ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 142ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A Leistung - max 781W Schaltenergie 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/260ns Testbedingung 800V, 50A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 53A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 710µJ (on), 420µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/179ns Testbedingung 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.91V @ 15V, 10A Leistung - max 101W Schaltenergie 29µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/79ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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