STGF10NB60SD
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| Teilenummer | STGF10NB60SD |
| PNEDA Teilenummer | STGF10NB60SD |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 25W TO220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGF10NB60SD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF10NB60SD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGF10NB60SD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 25W |
| Schaltenergie | 600µJ (on), 5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 33nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 700ns/1.2µs |
| Testbedingung | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 30µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/65ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
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