IKB03N120H2ATMA1
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| Teilenummer | IKB03N120H2ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKB03N120H2ATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.984 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKB03N120H2ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKB03N120H2ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKB03N120H2ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9.6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 9.9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 62.5W |
| Schaltenergie | 290µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9.2ns/281ns |
| Testbedingung | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max 160W Schaltenergie 620µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/170ns Testbedingung 600V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/240ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/34ns Testbedingung 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
