STGB20H60DF
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| Teilenummer | STGB20H60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGB20H60DF |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 167W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.310 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB20H60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB20H60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB20H60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 209µJ (on), 261µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 115nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42.5ns/177ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 2.4mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/251ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 84ns Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.5ns/103ns Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 107ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 650ns/13.5µs Testbedingung 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
