SQS944ENW-T1_GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SQS944ENW-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQS944ENW-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 40V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.318 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQS944ENW-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQS944ENW-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQS944ENW-T1_GE3, SQS944ENW-T1_GE3 Datenblatt
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SQS944ENW-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 25V |
| Leistung - max | 27.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8W Dual |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.95nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V Leistung - max 200mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 15V Leistung - max 2.1W, 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-DFN (2.9x2.3) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 767pF @ 10V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 54A (Tc), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V, 104nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V Leistung - max 89W, 132W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 15V Leistung - max 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-PowerVDFN Lieferantengerätepaket V-DFN5045-12 |
