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FMP76-01T

FMP76-01T

Nur als Referenz

Teilenummer FMP76-01T
PNEDA Teilenummer FMP76-01T
Beschreibung MOSFET N/P-CH
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.086
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FMP76-01T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMP76-01T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FMP76-01T, FMP76-01T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 106,91 KB)
PDFFMP76-01T Datenblatt Cover
FMP76-01T Datenblatt Seite 2 FMP76-01T Datenblatt Seite 3 FMP76-01T Datenblatt Seite 4

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FMP76-01T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN and P-Channel, Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197nC @ 10V, 104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
Leistung - max89W, 132W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUSi5-Pak™
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 6V

Leistung - max

910mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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NX138AKSX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Leistung - max

325mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1025nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 600V

Leistung - max

1660W

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