SQ4532AEY-T1_GE3
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| Teilenummer | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQ4532AEY-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQ4532AEY-T1_GE3, SQ4532AEY-T1_GE3 Datenblatt
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SQ4532AEY-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
| Leistung - max | 3.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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