DMC62D0SVQ-7
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| Teilenummer | DMC62D0SVQ-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMC62D0SVQ-7 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.182 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC62D0SVQ-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC62D0SVQ-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC62D0SVQ-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 571mA (Ta), 304mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V, 26pF @ 25V |
| Leistung - max | 510mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
