SIZ790DT-T1-GE3
Nur als Referenz
Teilenummer | SIZ790DT-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SIZ790DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.582 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SIZ790DT-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIZ790DT-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SIZ790DT-T1-GE3, SIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 14, Größe: 209,51 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SIZ790DT-T1-GE3 Datasheet
- where to find SIZ790DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIZ790DT-T1-GE3
- SIZ790DT-T1-GE3 PDF Datasheet
- SIZ790DT-T1-GE3 Stock
- SIZ790DT-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SIZ790DT-T1-GE3
- SIZ790DT-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIZ790DT-T1-GE3 Price
- SIZ790DT-T1-GE3 Distributor
SIZ790DT-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A, 35A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 15V |
Leistung - max | 27W, 48W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-PowerPair™ |
Lieferantengerätepaket | 6-PowerPair™ |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 369pF @ 10V Leistung - max 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V Leistung - max 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |