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SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZ790DT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZ790DT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.582
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SIZ790DT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZ790DT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZ790DT-T1-GE3, SIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 209,51 KB)
PDFSIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIZ790DT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieSkyFET®, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds830pF @ 15V
Leistung - max27W, 48W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-PowerPair™
Lieferantengerätepaket6-PowerPair™

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Diodes Incorporated

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Leistung - max

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTC90AM602G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

FDS4935BZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMC2710UDW-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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