SIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ790DT-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 209,51 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ790DT-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie SkyFET®, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 15V Leistung - max 27W, 48W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™ |
