SIZ328DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ328DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ328DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 13 - Feb 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZ328DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ328DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ328DT-T1-GE3, SIZ328DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ328DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-MICRO FOOT®CSP Lieferantengerätepaket 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
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