SD1127
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| Teilenummer | SD1127 |
| PNEDA Teilenummer | SD1127 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SD1127 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SD1127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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SD1127 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 18V |
| Frequenz - Übergang | 175MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 8W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 640mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 4.5GHz ~ 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz Gewinn 10dB @ 1GHz Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket 3-MCP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SSM |
