55GN01MA-TL-E
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| Teilenummer | 55GN01MA-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | 55GN01MA-TL-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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55GN01MA-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 55GN01MA-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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55GN01MA-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
| Gewinn | 10dB @ 1GHz |
| Leistung - max | 400mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz Gewinn 11.6dB Leistung - max 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
