S3HVM10
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| Teilenummer | S3HVM10 |
| PNEDA Teilenummer | S3HVM10 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE |
| Hersteller | Semtech |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.984 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S3HVM10 Ressourcen
| Marke | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S3HVM10 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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S3HVM10 Technische Daten
| Hersteller | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 10000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 11.5V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 10000V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 785A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 60mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 200°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 7pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 900V Current - Average Rectified (Io) 1.4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 900V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall E, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
