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RJH60D3DPE-00#J3

RJH60D3DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D3DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJH60D3DPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 35A LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D3DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D3DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D3DPE-00#J3, RJH60D3DPE-00#J3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 101,84 KB)
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RJH60D3DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 17A
Leistung - max113W
Schaltenergie200µJ (on), 210µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge37nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/80ns
Testbedingung300V, 17A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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APT15GT60BRDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

184W

Schaltenergie

150µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/105ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

190µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/168ns

Testbedingung

400V, 10A, 26Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

NGB18N40ACLBT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGA40S65SH

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

194µJ (on), 388µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/68.8ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IRGPS60B120KDP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 60A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

3.21mJ (on), 4.78mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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