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IKD10N60RFAATMA1

IKD10N60RFAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD10N60RFAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD10N60RFAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD10N60RFAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD10N60RFAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD10N60RFAATMA1, IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.749,69 KB)
PDFIKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Cover
IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD10N60RFAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie190µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/168ns
Testbedingung400V, 10A, 26Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)72ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 635µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/85ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IRG6S330UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/120ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/190ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

IRG4RC10KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGF19NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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